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支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动维护方便高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。

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底座，密封环，排气口所组成，在石墨加热器和保温筒之间。上述现有技术的不足之处在于单晶炉的坩埚支持器下方的混合气体不能有效的排出。在真空泵的作用下，排出炉外。文献CN1205362C公了一种直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置密封导气管装置由导气管从而使混合气体中的一氧化硅对加热器和坩埚进行腐蚀。其包括在单晶炉晶体生长室内的石墨加热器和保温筒间装有密封导气装置，使含有一氧化硅的氩气气体的气流经密封导气装置的导气管及排气口。使平均成品率从原来的65%提高68%以上，并可提高单晶的内在质量。本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的一对排气口相对设置，缩短了排气管路，利于提高排气效率。还可使吸附在这些石墨器件上的杂质粉尘减少30%以上，从而确保了该炉的使用寿命，使所述石墨器件的使用寿命从原来的90炉次提高11G炉次以上。[1]一般来说，具有过载长延时、短路短延时和短路瞬动三段保护功能的断路器，能实现选择性保护，大多数主干线（包括变压器的出线端）都采用它作主保护关。不具备短路短延时功能的断路器（仅有过载长延时和短路瞬动二段保护），不能作选择性保护，它们只能使用于支路。IEC92《船舶电气》指出：具有三段保护的断路器，偏重于它的运行短路分断能力值，而使用于分支线路的断路器，应确保它有足够的极限短路分断能力值。无论是哪种断路器，虽然都具备Icu和Ics这两个重要的技术指标。但是，作为支线上使用的断路器，可以仅满足额定极限短路分断能力即可。较普遍的偏颇是宁取大，不取正合适，认为取大。但取得过大，会造成不必要的浪费（同类型断路器，其H型—高分断型，比S型—普通型的价格要贵1.3倍～1.8倍）。